Silizium Tiefenätzen

Silizium Tiefenätzen (Deep Reactive Ion Etching, DRIE oder ASE; patentiert von der Robert Bosch GmbH) ist ein Siliziumätzverfahren, das die Herstellung von Strukturen mit hohen Aspektverhältnissen ermöglicht. Das Verfahren basiert auf einem Wechsel zwischen Ionenätzen und Seitenwandpassivierung von Strukturen. Die Ingenieure von Protron verfügen über langjährige Erfahrung in der Entwicklung und Herstellung von MEMS mit DRIE. Das Verfahren ist das vielseitigste Verfahren zur Mikrobearbeitung von Silizium in der Mikrosystemtechnik. Es ermöglicht die Realisierung dreidimensionaler Strukturen mit einem hohen Maß an Gestaltungsfreiheit. Protron nutzt das Verfahren für die Realisierung von Bauelementen in nahezu allen Bereichen der MEMS-Anwendungen, wie Mikrofluidik, Mikrooptik, Sensoren und Aktoren.